| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 液體鐳射器產品及裝置 | 產地類別 | 進口 |
| 應用領域 | 生物產業,電子 | 鐳射器 | 量子級聯 |
ALPES量子級聯鐳射器QCL
ALPES量子級聯鐳射器QCL使用量子阱異質結構來控制半導體中發射的光子的能量↟✘•▩•，而不是更常見和更高能量的帶間躍遷↟✘•▩•，這一想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年提出的↟☁▩☁·。這種量子級聯鐳射器QCL的實驗演示是在1994年由Jérôme Faist◕₪✘•↟、Federico Capasso◕₪✘•↟、Deborah Sivco◕₪✘•↟、Carlo Sirtori◕₪✘•↟、Albert Hutchinson和Alfred Cho在貝爾實驗室完成的↟☁▩☁·。
1998年↟✘•▩•，Antoine Müllerr和Matthias Beck在瑞士納沙泰爾創立了ALPES LASER↟✘•▩•，創始人是Jérôme Faist↟✘•▩•，他當時是Neuchâtel大學的教授↟✘•▩•，現在是在ETH Zürich↟☁▩☁·。當時↟✘•▩•，ALPES LASER是di一家在市場上提供量子級聯鐳射器的公司↟✘•▩•，該公司透過在2001年商業化di一個連續波鐳射器和在2009年商業化di一個寬增益鐳射器↟☁▩☁·。
當前↟✘•▩•，ALPES LASER提供多種多樣的量子級聯鐳射器↟✘•▩•，並提供各種封裝和驅動↟✘•▩•，充分滿足您的特殊應用需求↟☁▩☁·。
1. 單模DFB鐳射管│✘│：
ALPES單模DFB量子級聯鐳射管一次只能發射一個波長↟☁▩☁·。它的可調範圍可達10cm-1↟✘•▩•，ALPES量子級聯鐳射鐳射器QCL基於不同的應用目的↟✘•▩•，可以提供多種調製方案↟☁▩☁·。DFB量子級聯鐳射管主要應用領域是光譜學↟☁▩☁·。
CW-DFB鐳射管800cm-1-2320cm-1
脈衝DFB鐳射管700cm-1-2350cm-1
製冷DFB鐳射管645cm-1-2370cm-1
2. Interband Cascade Lasers帶間級聯鐳射管ICL│✘│：
帶間級聯鐳射器(ICL)是一種發射範圍在2.7-3.9um範圍內的中紅外光源↟✘•▩•，對於碳氫化合物和其他感興趣的氣體的檢測尤為重要↟☁▩☁·。與傳統的QCL相比↟✘•▩•，具有更低的耗散↟✘•▩•，除了標準TO3和HHL外↟✘•▩•，一些ICL鐳射器可在TO-66外殼中使用↟☁▩☁·。ICL-DFB鐳射器是單模鐳射器↟✘•▩•，一次可以發射一個波長↟☁▩☁·。它們可以在通常10cm-1的範圍內調諧,提供多種調製方案↟✘•▩•，DFB鐳射器主要用於光譜學↟☁▩☁·。它們目前可選頻率為2853cm-1◕₪✘•↟、2898cm-1◕₪✘•↟、2913cm-1和2946cm-1(分別為3505 nm◕₪✘•↟、3450 nm◕₪✘•↟、3433 nm和3394nm)↟☁▩☁·。
ICL器件基於與QCL不同的設計原則↟✘•▩•，這導致了一些技術上的差異↟☁▩☁·。主要的區別是↟✘•▩•，電流◕₪✘•↟、電壓和功耗要低得多↟✘•▩•，這使得在較小的封裝和系統中易於整合↟☁▩☁·。輸出通常也更低↟☁▩☁·。發射的光也是線偏振的TE偏振↟✘•▩•，在HHL封裝中↟✘•▩•，這轉化為水平偏振↟☁▩☁·。
3.寬增益QCL鐳射管│✘│：
| Type | Typ. Spectral Range | Power |
|---|---|---|
| BG-5.5-6.2 | 1670-1780 cm-1 | >50 mW |
| BG-6.2-7.4 | 1380-1600 cm-1 | >30 mW |
| BG-7.4-9.7 | 1090-1280 cm-1 | >80 mW |
| BG-9.7-13.1 | 800-980 cm-1 | >5 mW |
| P-FP-6.3 | 1560-1620 cm-1 | >50 mW |
| BG-CW-5.9-6.2 | 1640-1700 cm-1 | >100 mW |
| FP-CW-6.3 | 1530-1585 cm-1 | >100 mW |
4.FP-QCL法珀量子級聯鐳射管
FP-QCLs法珀量子級聯鐳射管可在室溫下工作↟☁▩☁·。其發射波長與DFB QCL相同↟☁▩☁·。即從740 cm-1到2390 cm-1↟✘•▩•，具有相似的閾值電流和電壓↟☁▩☁·。溫度的變化對發射頻寬的影響很小↟✘•▩•，發射頻寬主要由供電電流決定↟☁▩☁·。FP -QCL適用於可接受的寬頻發射↟✘•▩•，例如在液體光譜◕₪✘•↟、高功率發射源中↟✘•▩•，當不需要訊號純度或使用帶有外部腔的QCL時↟☁▩☁·。我們的庫存中有大量的脈衝或連續波FP鐳射器可供選擇↟✘•▩•，所以請根據上述引數向我們提交您的規格↟☁▩☁·。透過這種方式↟✘•▩•，我們可以向您推薦蕞適合您的應用程式的QCL↟☁▩☁·。
5.高功率QCL鐳射管
高功率QCL鐳射器目前可在以下中心波長↟✘•▩•，蕞小平均功率為1W:
3.95um
4.55um
4.65um
4.90um
9.70um
6.高功率脈衝QCL鐳射管
高功率脈衝量子級聯鐳射器被最佳化為發射從20ns到1000ns的短脈衝↟✘•▩•，蕞小峰值功率為20 W↟✘•▩•，或~5uJ每個脈衝↟☁▩☁·。這些鐳射器可用於自由空間光通訊↟✘•▩•，鐳射雷達應用和紅外對抗↟☁▩☁·。
| Electro-optical Characteristic | Abb. | Min. | Typ. | Max. | Note |
|---|---|---|---|---|---|
| Peak Power | PP | 20W | 25W | 30W | |
| Output Spectrum | - | Multimode | |||
| Spectral Width | SW | 50 cm-1 | 100 cm-1 | 150 cm-1 | |
| Duty Cycle | DC | 0 | 1% | 20% | |
| Central Wavelength | CWL | 4.57 um | |||
| Wall-Plug Efficiency | WPE | 5% | |||
| Beam Shape | BSH | Single-lobed | |||
| Horizontal Beam Divergence of laser chip | HD | 50 mrad | 90 mrad | 120 mrad | 1 |
| Vertical Beam Divergence of laser chip | VD | 650 mrad | 1 | ||
| Pulse Width | PW | 20 ns | 300 ns | 1000 ns | |
| Submount | SM | AN-NSP | 2 | ||
| Driver | D | S-2 | 3 | ||
| Heatsink Cooling capacity | - | 25W | 35W | 65W |
7.擴充套件可調諧QCL鐳射器
擴充套件可調諧QCL鐳射器ALPES LASER提供兩種型別的擴充套件調諧鐳射器↟✘•▩•，這兩種裝置都允許在固定溫度下比標準DFB鐳射器更寬的範圍內快速調諧↟☁▩☁·。QC-ET(此處描述)允許*連續調諧超過0.4%的中心波長↟✘•▩•，而QC-XT允許分段連續調諧超過2%的中心波長↟☁▩☁·。
8.太赫茲量子級聯鐳射器
太赫茲量子級聯鐳射器的工作範圍為1 ~ 5太赫茲↟☁▩☁·。相干極化太赫茲輻射是半導體異質結構導帶內電子直接受鐳射躍遷的結果↟☁▩☁·。
| Central Frequency | Central Frequency | Peak Power |
|---|---|---|
| 1.3 THz | 45 cm-1 | > 0.1 mW |
| 1.8 THz | 60 cm-1 | > 0.1 mW |
| 2.3 THz | 78 cm-1 | > 0.5 mW |
| 3 THz | 100 cm-1 | > 5 mW |
| 4 THz | 133 cm-1 | > 5 mW |
| 4.7 THz | 160 cm-1 | > 1 mW |
11.短波紅外鐳射管
| Central Wavelength | Max. Power |
|---|---|
| 1450 nm | 30 mW |
| 1470 nm | 50 mW |
| 1550 nm | 30 mW |
| 1630 nm | 50 mW |
| 1650 nm | 50 mW |
| 1730 nm | 30 mW |
| 1740 nm | 40 mW |
| 1830 nm | 50 mW |
| 1890 nm | 50 mW |
| 2080 nm | 20 mW |
| 2100 nm | 10 mW |
| 2150 nm | 50 mW |
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