| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,電子 | 高峰值功 | >50KW（>250KW可定製） |
脈寬可調納秒鐳射器（晶片缺陷檢測用）
此係列鐳射器為單模鐳射器₪☁₪╃╃，透過內建從輸入的TTL/LVTTL數字訊號中產生光脈衝↟☁│。
脈寬可調納秒鐳射器（晶片缺陷檢測用）脈衝長度從1.5 ns -CW 連續可調₪☁₪╃╃，脈衝重頻 從單脈衝- 250 MHz可調
對於針對應用（熱鐳射刺激(TLS),Thermal laser stimulation(TLS),晶片儲存讀取（BBRAM, SRAM））₪☁₪╃╃，有著如下特別優勢:
需求▩↟·╃：需要儘可能小的光斑來加工待測晶片的集中部分₪☁₪╃╃，並定位正作用的晶片具體位置↟☁│。
優勢▩↟·╃：鐳射器為單模鐳射器↟☁│。輸出纖芯尺寸為6μm₪☁₪╃╃，透過配套顯微鏡₪☁₪╃╃，可以將它聚焦到1μm以內₪☁₪╃╃，提高能流密度
需求▩↟·╃：需要時間精度和時間靈活性來使鐳射脈衝與待測晶片同步
優勢▩↟·╃：每個鐳射器抖動小於8 ps↟☁│。從而可以將PDM+與晶片同步₪☁₪╃╃，並在+/8ps時知道鐳射脈衝何時到達樣品↟☁│。可以選擇從1.5納秒到連CW 脈衝以及從單次發射到250兆赫的任何脈衝
晶片矽很厚₪☁₪╃╃，需要高功率
優勢▩↟·╃：有透過定製₪☁₪╃╃，峰值功率定製可達10 W↟☁│。一般測量需要約1 W的功率↟☁│。在2 W單模鐳射功率水平下₪☁₪╃╃，可以很容易地影響你的晶片₪☁₪╃╃，即使是很厚的矽
可靠性和產品支援
優勢▩↟·╃：該系列鐳射器都是光纖設計鐳射器↟☁│。沒有光學移動部件或損失的風險↟☁│。該模組是電子安全的₪☁₪╃╃，不會因操作不當而損壞↟☁│。
PDM - HPP系列鐳射器引數
主要特徵▩↟·╃：
脈衝持續時間:1 ns (FWHM)
單次脈衝✘·╃✘、burst mode 或 連續
Max as 4 W峰值功率
抖動(< 8 ps)
可達 250 MHz重複頻率
包含脈衝延遲發生器
Python相容
PDM HP 系列引數
上海市徐彙區虹梅路2007號6號樓3樓
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